বাড়ি পণ্যইনফ্রারেড এমিটিং ডিত্তড

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

সাক্ষ্যদান
চীন HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd সার্টিফিকেশন
চীন HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd সার্টিফিকেশন
ক্রেতার পর্যালোচনা
গণপ্রজাতন্ত্রী চীন প্রতিষ্ঠার 70 তম বার্ষিকীর প্রাক্কালে, এই মহান ছুটির দিনে আমাদের অত্যন্ত আন্তরিক এবং উষ্ণ অভিনন্দন গ্রহণ করুন। আমরা আমাদের সংস্থাগুলির মধ্যে সহযোগিতার ইতিবাচক অভিজ্ঞতার প্রশংসা করি এবং আমাদের অংশীদারিত্বের পরবর্তী পারস্পরিক উপকারী উন্নয়নের প্রত্যাশায় রয়েছি।

—— ভিপি ভাসিলিভ

আমরা অনেকবার ডাবল লাইটের সাথে সহযোগিতা করি, প্রতিটি সময় তারা ভাল পণ্য এবং চমৎকার দাম দিয়ে আমাদের সমর্থন করে।

—— মার্কিন থেকে Berk

রনি সঙ্গে সহযোগিতা, আমি খুব বেশী চিন্তা করতে হবে না, তিনি ভাল সবকিছু ব্যবস্থা করতে পারেন।

—— তুরস্ক থেকে হার্পার স্টিভ

তোমার দর্শন লগ করা অনলাইন চ্যাট এখন

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm
Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

বড় ইমেজ :  Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

পণ্যের বিবরণ:

Place of Origin: China (mainland)
পরিচিতিমুলক নাম: Double Light
সাক্ষ্যদান: ISO9001:2008,ROHS
Model Number: DL-HP20SIRA-1SIR120

প্রদান:

Minimum Order Quantity: 10,000pcs
Packaging Details: Dimensions per Unit:0.28 × 0.2 × 0.13 Meters • Weight per Unit:3.5 Kilograms • Units per Export Carton:40000 • Export Carton Dimensions L/W/H: 0.45 × 0.28 × 0.27 Meters • Export Carton Weight:14.2 Kilograms
Delivery Time: 5-7 working days after received your payment
Payment Terms: Telegraphic Transfer in Advance (Advance TT, T/T)
Supply Ability: 15,000,000pcs per Day
বিস্তারিত পণ্যের বর্ণনা
Product Name: High Power Infrared LED Diameter: LED Infrared
Emitted Color: Infrared LED Peak Emission Wavelength: 730nm
Chip Material: GaAlAs Lens Type: Water Clear
Forward Voltage @20ma: 1.4-1.8V Viewing Angle: 120 Deg
লক্ষণীয় করা:

light emitting diode led

,

ir emitting diode

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm

 

High Power Infrared Emitting Diode 

  1.  Features:
    1. Very long operating life (up to 100k hours).
    2. Available in white, green, blue, red, yellow.
    3. More energy efficient than incandescent and most halogen lamps.
    4. Low voltage DC operated.
    5. Cool beam, safe to the touch.
    6. Instant light (less than 100 ns).
    7. The product itself will remain within RoHS compliant Version.

     Applications:
    1. Reading lights (car, bus, aircraft).
    2. Portable (flashlight, bicycle).
    3. Mini_accent/Uplighters/Downlighters/Orientation.
    4. Bollards/Security/Garden.
    5. Cove/Undershelf/Task.
    6. Automotive rear combination lamps.
    7. Traffic signaling/Beacons/ Rail crossing and Wayside.
    8. Indoor/Outdoor Commercial and Residential Architectural.
    9. Edge_lit signs (Exit, point of sale).
    10. LCD Backlights/Light Guides.

 

 

  1. Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃
  2. Parameters Symbol Rating Units
    Forward Current IF 500 mA
    Peak Pulse Current (tp≤100μs, Duty cycle=0.25) I pulse 700 mA
    Reverse Voltage VR 5 V
    LED Junction Temperature Tj 125
    Operating Temperature Range Topr -40 to +80
    Storage Temperature Range Tstg -40 to +100
    Soldering Time at 260℃ (Max.) Tsol 5 Seconds
     

    Notes:

  3. Proper current derating must be observed to maintain junction temperature below the maximum.
  4. LEDs are not designed to be driven in reserve bias.
  5.  

    Electrical Optical Characteristics at Ta=25℃

    Parameters Symbol Min. Typ. Max. Unit Test Condition
    Viewing Angle [1] 1/2 --- 120 -- Deg IF=350mA
    Forward Voltage [2] VF 1.6 --- 2.2 V IF=350mA
    Reverse Current IR --- --- 10 µA VR=5V
    Peak Emission Wavelength λp --- 730 --- nm IF=350mA
    Dominant Wavelength λd ---- 730 ---- nm IF =350mA
    Spectrum Radiation Bandwidth Δλ --- 10 --- nm IF=350mA
    Power Intensity Pv 160 --- 240 mw IF=350mA
     

    Notes:

  6. 2θ1/2 is the off axis angle from lamp centerline where the luminous intensity is 1/2 of the peak value.
  7. Forward Voltage measurement tolerance : ±0.1V
  8.  

     

    Notes:

    1. Luminous Radiant is measured with a light sensor and filter combination that approximates the CIE eye-response curve.

    2. θ1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.

 

Infrared Emitting Diode Package Dimension:

Epileds Chip Infrared Emitting Diode 1w 3w high power light emitting diode 730nm 850nm 940nm 0 

 
 

যোগাযোগের ঠিকানা
HongKong Double Light Electronics Technology Co. Ltd

ব্যক্তি যোগাযোগ: Roundy

টেল: +8615216951191

আমাদের সরাসরি আপনার তদন্ত পাঠান (0 / 3000)

অন্যান্য পণ্যসমূহ